精美套图 京东方华灿光电央求晶体管过头制备身手专利, 提高 p‑GaN 层对刻蚀相背层的选拔比

金融界2025年3月22日音讯精美套图，国度常识产权局信息披露，京东方华灿光电（浙江）有限公司央求一项名为“晶体管过头制备身手”的专利，公开号CN119653811A，央求日历为2024年10月。

专利摘记披露，本公开提供了一种晶体管过头制备身手。晶体管包括：沟谈层、势垒层、刻蚀相背层和p‑GaN层；势垒层、刻蚀相背层和p‑GaN层循序层叠在沟谈层上，通过掩膜进行选拔性刻蚀，使得p‑GaN层开设有蔓延到刻蚀相背层的台阶结构。通过在外延结构的势垒层和p‑GaN层之间加入刻蚀相背层，刻蚀相背层在刻蚀历程中刻蚀速度较慢，提高p‑GaN层对刻蚀相背层的选拔比；同期相背层不错注目势垒层被刻蚀，擢升晶体管的明白性。

天眼查尊府披露，京东方华灿光电（浙江）有限公司，开发于2014年，位于金华市，是一家以从事瞎想机、通讯和其他电子开垦制造业为主的企业。企业注册老本380450万东谈主民币，实缴老本380450万东谈主民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标表情39次，专利信息934条，此外企业还领有行政许可36个。

本文源自：金融界